MOSFET onsemi NVMFS5C670NLWFAFT1G, VDSS 60 V, ID 71 A, DFN de 5 pines, , config. Simple

El MOSFET de canal N de montaje superficial on Semiconductor DFN5 es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 60V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 6,1mohm a una tensión de fuente de compuerta de 10V. Tiene una corriente de drenaje continua de 71A y una disipación de potencia máxima de 61W. El voltaje de conducción mínimo y máximo para este transistor es de 4,5V y 10V respectivamente. El MOSFET se ha optimizado para reducir las pérdidas de conmutación y conducción. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una vida larga y productiva sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

• MOSFET de potencia para automóviles
• Diseño compacto y eficiente
• Alto rendimiento térmico
• Sin Plomo (Pb)
• Baja QG y capacitancia para minimizar las pérdidas de controladores
• RDS bajo (activado) para minimizar las pérdidas de conducción
• rangos de temperatura de funcionamiento entre -55 °C y 175 °C.
• opción De flanco Húmedo disponible para una inspección óptica mejorada

• Automoción
• interruptor de carga - ECU, chasis, cuerpo
• Control del motor - EPS, limpiaparabrisas, ventiladores, asientos, etc.
• interruptores de alimentación (conductor de lado alto, conductor de lado bajo, puentes H y más)
• conductor de solenoide - ABS, inyección de combustible
• Cambio de fuentes de alimentación

• AEC−Q101
• ANSI/ESD S20.20:2014
• bs en 61340-5-1:2007