MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMFS5C670NLWFAFT1G, VDSS 60 V, ID 71 A, Mejora, DFN de 5 pines

Código RS:: 171-8388
Nº ref. fabric.:: NVMFS5C670NLWFAFT1G
Fabricante:: onsemi

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMFS5C670NLWFAFT1G, VDSS 60 V, ID 71 A, Mejora, DFN de 5 pines

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Código RS:: 171-8388
Nº ref. fabric.:: NVMFS5C670NLWFAFT1G
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	71A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Encapsulado	DFN
	Serie	NVMFS5C670NL
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	5
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	8.8mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	61W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	20nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Tensión directa Vf	0.9V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Longitud	6.1mm
	Anchura	5.1 mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	1.05mm
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 71A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Encapsulado DFN
	Serie NVMFS5C670NL
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 5
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8.8mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 61W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 20nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Tensión directa Vf 0.9V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Longitud 6.1mm
	Anchura 5.1 mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 1.05mm
	Estándar de automoción AEC-Q101

Datasheet

MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Opción de flanco sumergible disponible para inspección óptica mejorada. Capacidad PPAP ideal para aplicaciones de automoción.

Baja RDS(on)

Minimiza las pérdidas de conducción

Capacitancia de puerta y QG baja

Minimiza las pérdidas de conmutación

Encapsulado estándar industrial de 5 x 6 mm

Diseño compacto y tamaño estándar para permitir su montaje directo

El mejor FOM (RDS(ON) x QG) de su categoría

Mayor eficiencia, menor disipación de potencia

Protección de batería inversa

Fuentes de alimentación de conmutación

Interruptores de alimentación (driver de lado alto, driver de lado bajo, medios puentes, etc.).

Driver de solenoide: ABS, inyección de combustible

Control de motor: EPS, barrido, ventiladores, asientos, etc.

Interruptor de carga: ECU, chasis, cuerpo

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMFS5C670NLWFAFT1G, VDSS 60 V, ID 71 A, Mejora, DFN de 5 pines

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