MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 477 A, Mejora, DFN de 8 pines

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Código RS:
185-8161
Nº ref. fabric.:
NVMTS0D7N06CLTXG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

477A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

DFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

900μΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

294.6W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

225nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.15mm

Anchura

8 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

8.1mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Estado RoHS: No cumple

COO (País de Origen):
PH
Automotive Power MOSFET in a 8x8mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

Small Footprint (8x8 mm)

Low RDS(on)

Low QG and Capacitance

Wettable Flank Option

PPAP Capable

Compact Design

Minimize Conduction Losses

Minimize Driver Losses

Enhanced Optical Inspection

Applications

Reverser Battery protection

Switching power supplies

Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)

End Products

Motor Control – EPS, Wipers, Fans, Seats, etc.

Load Switch – ECU, Chassis, Body

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