MOSFET onsemi NVMTS1D2N08H, VDSS 80 V, ID 337 A, DFN de 8 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 195-2676
- Nº ref. fabric.:
- NVMTS1D2N08H
- Fabricante:
- onsemi
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
2,796 €
(exc. IVA)
3,383 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
|---|---|---|
| 3000 + | 2,796 € | 8.388,00 € |
*precio indicativo
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- Código RS:
- 195-2676
- Nº ref. fabric.:
- NVMTS1D2N08H
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Flanco sumergible para inspección óptica mejorada. MOSFET y capacidad PPAP ideal para aplicaciones de automoción.
Tamaño pequeño (8x8 mm)
Diseño compacto
Baja RDS(on)
Minimiza las pérdidas de conducción
Baja QG y capacitancia
Minimiza las pérdidas de controlador
Opción de flancos sumergibles
Inspección óptica mejorada
Capacidad PPAP
Aplicación
Protección de batería inversa
Interruptores de alimentación (driver de lado alto, driver de lado bajo, medios puentes, etc.).
Diseño compacto
Baja RDS(on)
Minimiza las pérdidas de conducción
Baja QG y capacitancia
Minimiza las pérdidas de controlador
Opción de flancos sumergibles
Inspección óptica mejorada
Capacidad PPAP
Aplicación
Protección de batería inversa
Interruptores de alimentación (driver de lado alto, driver de lado bajo, medios puentes, etc.).
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 337 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 80 V |
| Tipo de Encapsulado | DFN |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 8 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 1,1 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 300 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±20 V |
| Ancho | 8mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 147 nC a 10 V |
| Longitud | 8.1mm |
| Tensión de diodo directa | 1.2V |
| Altura | 1.15mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 |
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