MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMTS1D2N08H, VDSS 80 V, ID 337 A, Mejora, DFN de 8 pines

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Código RS:
195-2677
Nº ref. fabric.:
NVMTS1D2N08H
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

337A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

DFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

300W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

147nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.15mm

Longitud

8.1mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Flanco sumergible para inspección óptica mejorada. MOSFET y capacidad PPAP ideal para aplicaciones de automoción.

Tamaño pequeño (8x8 mm)

Diseño compacto

Baja RDS(on)

Minimiza las pérdidas de conducción

Baja QG y capacitancia

Minimiza las pérdidas de controlador

Opción de flancos sumergibles

Inspección óptica mejorada

Capacidad PPAP

Aplicación

Protección de batería inversa

Interruptores de alimentación (driver de lado alto, driver de lado bajo, medios puentes, etc.).

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