MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 103 A, Mejora, DFN de 5 pines
- Código RS:
- 185-8155
- Nº ref. fabric.:
- NVMFS6H824NT1G
- Fabricante:
- onsemi
Subtotal (1 bobina de 1500 unidades)*
802,50 €
(exc. IVA)
970,50 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Últimas existencias de RS
- Última(s) 1500 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1500 + | 0,535 € | 802,50 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 185-8155
- Nº ref. fabric.:
- NVMFS6H824NT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 103A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | NVMFS6H824N | |
| Encapsulado | DFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 115W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 38nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1.05mm | |
| Longitud | 5.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 6.1 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 103A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie NVMFS6H824N | ||
Encapsulado DFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 115W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 38nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1.05mm | ||
Longitud 5.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 6.1 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Estado RoHS: No cumple
- COO (País de Origen):
- MY
Automotive Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
Small Footprint (5x6 mm)
Low RDS(on)
Low QG and Capacitance
NVMFS6H818NWF − Wettable Flank Option
PPAP Capable
Compact Design
Minimize Conduction Losses
Minimize Driver Losses
Enhanced Optical Inspection
Automotive Qualified
Applications
Switching power supplies
Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)
48V systems
End Products
Motor Control
Load Switch
DC/DC converter
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, DFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, DFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, DFN de 8 pines
