MOSFET onsemi NTMFS6H800NT1G, VDSS 80 V, ID 203 A, DFN de 5 pines, , config. Simple

El MOSFET de canal N de montaje superficial on Semiconductor DFN5 es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 80V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 2,1 mohm a una tensión de fuente de compuerta de 10V. Tiene una corriente de drenaje continua de 203A y una disipación de potencia máxima de 200W. El voltaje de conducción mínimo y máximo para este transistor es 6V y 10V respectivamente. El MOSFET se ha optimizado para reducir las pérdidas de conmutación y conducción. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una vida larga y productiva sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

• Diseño compacto
• Sin Plomo (Pb)
• Baja QG y capacitancia
• Baja QG y capacitancia para minimizar las pérdidas de controladores
• RDS bajo (activado) para minimizar las pérdidas de conducción
• Minimizar las pérdidas de conducción
• Minimizar las pérdidas de conductor
• rangos de temperatura de funcionamiento entre -55 °C y 175 °C.
• huella Pequeña (5x6 mm)

• sistemas 48V
• Convertidor de CC/CC
• interruptor de carga
• Control de motor
• interruptores de alimentación (conductor de lado alto, conductor de lado bajo, puentes H, etc.)
• Cambio de fuentes de alimentación
• rectificador sincrónico

• ANSI/ESD S20.20:2014
• bs en 61340-5-1:2007