MOSFET onsemi NVMFS6H800NT1G, VDSS 80 V, ID 203 A, DFN de 5 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 178-4435
- Nº ref. fabric.:
- NVMFS6H800NT1G
- Fabricante:
- onsemi
1500 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
4,582 €
(exc. IVA)
5,544 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 4,582 € | 22,91 € |
| 10 - 95 | 3,712 € | 18,56 € |
| 100 - 245 | 3,132 € | 15,66 € |
| 250 - 495 | 2,956 € | 14,78 € |
| 500 + | 2,838 € | 14,19 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 178-4435
- Nº ref. fabric.:
- NVMFS6H800NT1G
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- MY
Datos del Producto
MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Opción de flancos sumergibles disponible para inspección óptica mejorada. Adecuado para automoción.
Características
Tamaño pequeño (5x6 mm)
Baja RDS(on)
Baja QG y capacitancia
NVMFS6H800NWF - Opción de flanco sumergible
Capacidad PPAP
Ventajas
Diseño compacto
Minimiza las pérdidas de conducción
Minimiza las pérdidas de controlador
Óptica mejorada
Inspección
Aplicaciones
Fuentes de alimentación de conmutación
Interruptores de alimentación (driver de lado alto, driver de lado bajo, medios puentes, etc.).
Sistemas de 48 V
Productos finales
Control de motor
Interruptor de carga
Convertidor dc/dc
Tamaño pequeño (5x6 mm)
Baja RDS(on)
Baja QG y capacitancia
NVMFS6H800NWF - Opción de flanco sumergible
Capacidad PPAP
Ventajas
Diseño compacto
Minimiza las pérdidas de conducción
Minimiza las pérdidas de controlador
Óptica mejorada
Inspección
Aplicaciones
Fuentes de alimentación de conmutación
Interruptores de alimentación (driver de lado alto, driver de lado bajo, medios puentes, etc.).
Sistemas de 48 V
Productos finales
Control de motor
Interruptor de carga
Convertidor dc/dc
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 203 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 80 V |
| Tipo de Encapsulado | DFN |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 5 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 2,1 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 200 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±20 V |
| Longitud | 5.1mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 85 nC a 10 V |
| Ancho | 6.1mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Altura | 1.05mm |
| Tensión de diodo directa | 1.2V |
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