MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS6H800NT1G, VDSS 80 V, ID 203 A, Mejora, DFN de 5 pines

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Código RS:
172-8974
Nº ref. fabric.:
NTMFS6H800NT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

203A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

NTMFS6H800N

Encapsulado

DFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

200W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.8V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

85nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.1mm

Anchura

5.1 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.1mm

Estándar de automoción

No

On Semiconductor


El MOSFET de canal N de montaje superficial on Semiconductor DFN5 es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 80V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 2,1 mohm a una tensión de fuente de compuerta de 10V. Tiene una corriente de drenaje continua de 203A y una disipación de potencia máxima de 200W. El voltaje de conducción mínimo y máximo para este transistor es 6V y 10V respectivamente. El MOSFET se ha optimizado para reducir las pérdidas de conmutación y conducción. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una vida larga y productiva sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas


• Diseño compacto

• Sin Plomo (Pb)

• Baja QG y capacitancia

• Baja QG y capacitancia para minimizar las pérdidas de controladores

• RDS bajo (activado) para minimizar las pérdidas de conducción

• Minimizar las pérdidas de conducción

• Minimizar las pérdidas de conductor

• rangos de temperatura de funcionamiento entre -55 °C y 175 °C.

• huella Pequeña (5x6 mm)

Aplicaciones


• sistemas 48V

• Convertidor de CC/CC

• interruptor de carga

• Control de motor

• interruptores de alimentación (conductor de lado alto, conductor de lado bajo, puentes H, etc.)

• Cambio de fuentes de alimentación

• rectificador sincrónico

Certificaciones


• ANSI/ESD S20.20:2014

• bs en 61340-5-1:2007

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