MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 157 A, Mejora, DFN de 5 pines

Ver todo MOSFET
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
Código RS:
178-4308
Nº ref. fabric.:
NVMFS6H801NT1G
Fabricante:
onsemi
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

157A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

NVMFS6H801N

Encapsulado

DFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

64nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

166W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

6.1 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.05mm

Longitud

5.1mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
MY
MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Opción de flancos sumergibles disponible para inspección óptica mejorada. Adecuado para automoción.

Características

Tamaño pequeño (5x6 mm)

Baja RDS(on)

Baja QG y capacitancia

NVMFS6H801NWF - Opción de flanco sumergible

Capacidad PPAP

Ventajas

Diseño compacto

Minimiza las pérdidas de conducción

Minimiza las pérdidas de controlador

Inspección óptica mejorada

Aplicaciones

Fuentes de alimentación de conmutación

Interruptores de alimentación (driver de lado alto, driver de lado bajo, medios puentes, etc.).

Sistemas de 48 V

Productos finales

Control de motor

Convertidor dc/dc

Interruptor de carga

Enlaces relacionados