MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS6H801NT1G, VDSS 80 V, ID 157 A, Mejora, DFN de 5 pines

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Código RS:
172-8986
Nº ref. fabric.:
NTMFS6H801NT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

157A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

NTMFS6H801N

Encapsulado

DFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.8V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

64nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

166W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

6.1mm

Altura

1.1mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.1 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia comercial en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico.

Tamaño pequeño (5x6 mm)

Diseño compacto

Baja RDS(on)

Minimiza las pérdidas de conducción

Baja QG y capacitancia

Minimiza las pérdidas de controlador

Aplicaciones

Fuentes de alimentación de conmutación

Interruptores de alimentación (driver de lado alto, driver de lado bajo, medios puentes, etc.).

Sistemas de 48 V

Control de motor

Interruptor de carga

Convertidor dc/dc

Rectificador síncrono

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