MOSFET onsemi NTMFS6H801NT1G, VDSS 80 V, ID 157 A, DFN de 5 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 172-8785
- Nº ref. fabric.:
- NTMFS6H801NT1G
- Fabricante:
- onsemi
Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 1500)
0,915 €
(exc. IVA)
1,107 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
|---|---|---|
| 1500 + | 0,915 € | 1.372,50 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 172-8785
- Nº ref. fabric.:
- NTMFS6H801NT1G
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de potencia comercial en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico.
Tamaño pequeño (5x6 mm)
Diseño compacto
Baja RDS(on)
Minimiza las pérdidas de conducción
Baja QG y capacitancia
Minimiza las pérdidas de controlador
Aplicaciones
Fuentes de alimentación de conmutación
Interruptores de alimentación (driver de lado alto, driver de lado bajo, medios puentes, etc.).
Sistemas de 48 V
Control de motor
Interruptor de carga
Convertidor dc/dc
Rectificador síncrono
Diseño compacto
Baja RDS(on)
Minimiza las pérdidas de conducción
Baja QG y capacitancia
Minimiza las pérdidas de controlador
Aplicaciones
Fuentes de alimentación de conmutación
Interruptores de alimentación (driver de lado alto, driver de lado bajo, medios puentes, etc.).
Sistemas de 48 V
Control de motor
Interruptor de carga
Convertidor dc/dc
Rectificador síncrono
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 157 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 80 V |
| Tipo de Encapsulado | DFN |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 5 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 4,4 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 166 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±20 V |
| Longitud | 6.1mm |
| Ancho | 5.1mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 64 nC a 10 V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Tensión de diodo directa | 1.2V |
| Altura | 1.1mm |
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