MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal onsemi NTD280N60S5Z, VDSS 600 V, ID 13 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 220-565
- Nº ref. fabric.:
- NTD280N60S5Z
- Fabricante:
- onsemi
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tira de 5 unidades)*
14,58 €
(exc. IVA)
17,64 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 2475 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tira* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,916 € | 14,58 € |
| 50 - 95 | 2,77 € | 13,85 € |
| 100 - 495 | 2,568 € | 12,84 € |
| 500 - 995 | 2,366 € | 11,83 € |
| 1000 + | 2,276 € | 11,38 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 220-565
- Nº ref. fabric.:
- NTD280N60S5Z
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | NTD | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 224mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 17.9nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 89W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, Pb-Free, 100% Avalanche Tested | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie NTD | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 224mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17.9nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 89W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, Pb-Free, 100% Avalanche Tested | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
La serie Easy Drive de MOSFET de ON Semiconductor combina un excelente rendimiento de conmutación sin sacrificar la facilidad de uso y los problemas de EMI para topologías de conmutación dura y suave.
Sin halógenos
Compatible con RoHS
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-252 de 10 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 800 V Mejora, TO-252 de 3 pines