MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal onsemi NTD360N80S3Z, VDSS 800 V, ID 13 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 205-2498
- Nº ref. fabric.:
- NTD360N80S3Z
- Fabricante:
- onsemi
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 205-2498
- Nº ref. fabric.:
- NTD360N80S3Z
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Serie | SUPERFET III | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 360mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 25.3nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 96W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 9.35mm | |
| Anchura | 5.55 mm | |
| Altura | 2.39mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Serie SUPERFET III | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 360mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25.3nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 96W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 9.35mm | ||
Anchura 5.55 mm | ||
Altura 2.39mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET 800V de canal N de la serie SUPERFET III de on Semiconductor está optimizado para el interruptor principal del convertidor de retorno, permite menores pérdidas de conmutación y temperatura de carcasa sin sacrificar el rendimiento EMI gracias a su diseño optimizado. Además, el diodo zener interno mejora significativamente la capacidad ESD. Esta nueva familia permite crear aplicaciones más eficientes, compactas, más frías y más robustas gracias a su extraordinario rendimiento en aplicaciones de alimentación de conmutación como adaptadores para portátiles, audio, iluminación, alimentación ATX y fuentes de alimentación industriales.
La corriente nominal de drenaje continuo es 13A
El valor nominal de resistencia de drenaje a fuente es 360mohm
Carga de puerta ultrabaja
Baja energía almacenada en capacitancia de salida
100 % a prueba de avalancha
El tipo de encapsulado es D-PAK
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