MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD80R360P7ATMA1, VDSS 800 V, ID 13 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 217-2534
- Nº ref. fabric.:
- IPD80R360P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 10 unidades)*
21,06 €
(exc. IVA)
25,48 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 2120 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 2,106 € | 21,06 € |
| 50 - 90 | 2,002 € | 20,02 € |
| 100 - 240 | 1,957 € | 19,57 € |
| 250 - 490 | 1,83 € | 18,30 € |
| 500 + | 1,708 € | 17,08 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 217-2534
- Nº ref. fabric.:
- IPD80R360P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Serie | IPD | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 360mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 42W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Altura | 2.41mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Serie IPD | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 360mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 42W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.73mm | ||
Altura 2.41mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
La serie Infineon 800V CoolMOS™ P7 de MOSFET de superunión es perfecta para aplicaciones SMPS de baja potencia al satisfacer por completo las necesidades del mercado en rendimiento, facilidad de uso y relación precio/rendimiento. Se centra principalmente en aplicaciones de retorno, incluidos adaptador y cargador, controlador de LED, SMPS de audio, AUX y alimentación industrial. Esta nueva familia de productos ofrece hasta un 0,6 % de ganancia de eficiencia y una temperatura MOSFET entre 2 °C y 8 °C inferior en comparación con su predecesor, así como con piezas de la competencia probadas en aplicaciones de retorno típicas. También permite diseños de mayor densidad de potencia gracias a menores pérdidas de conmutación y mejores productos DPAK R DS(on). En general, ayuda a los clientes a ahorrar costes de LDM y a reducir el esfuerzo de ensamblaje.
El mejor FOM RDS(on)*Eoss de su clase; QG, CISS y Coss reducidos
El mejor DPAK RDS(on) de su clase
El mejor V(GS)th de su clase de 3V y la variación V(GS)th más pequeña de ±0,5 V.
Protección ESD de diodo Zener integrada
Cartera totalmente optimizada
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-252 de 3 pines