MOSFET Infineon IPD80R900P7ATMA1, VDSS 800 V, ID 6 A, DPAK (TO-252) de 3 pines
- Código RS:
- 215-2517
- Nº ref. fabric.:
- IPD80R900P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 2500)
0,486 €
(exc. IVA)
0,588 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,486 € | 1.215,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 215-2517
- Nº ref. fabric.:
- IPD80R900P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
La serie de MOSFET Infineon 800V Cool MOS™ P7 de súper unión es perfecta para aplicaciones SMPS de baja potencia al satisfacer por completo las necesidades del mercado en rendimiento, facilidad de uso y relación precio/rendimiento. Se centra principalmente en aplicaciones de retorno sobre la marcha, incluidos adaptador y cargador, controlador de LED, SMPS de audio, AUX y alimentación industrial. Esta nueva familia de productos ofrece hasta un 0,6 % de ganancia de eficiencia y una temperatura MOSFET entre 2 °C y 8 °C inferior en comparación con su predecesor, así como con piezas de la competencia probadas en aplicaciones típicas de devolución. También permite diseños de mayor densidad de potencia gracias a menores pérdidas de conmutación y mejores productos DPAK RDS(on).
Protección ESD de diodo Zener integrado hasta clase 2 (HBM)
La mejor calidad y fiabilidad de su clase
Cartera totalmente optimizada
La mejor calidad y fiabilidad de su clase
Cartera totalmente optimizada
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 6 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 800 V |
| Serie | CoolMOS™ P7 |
| Tipo de Encapsulado | DPAK (TO-252) |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0,9 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 3.5V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Material del transistor | Si |
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