MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS3D0N08XT1G, VDSS 80 V, ID 154 A, Mejora, DFN-5 de 5 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 tira de 5 unidades)*

11,18 €

(exc. IVA)

13,53 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 1500 unidad(es) más para enviar a partir del 19 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Tira*
5 - 452,236 €11,18 €
50 - 952,124 €10,62 €
100 - 4951,972 €9,86 €
500 - 9951,812 €9,06 €
1000 +1,74 €8,70 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
220-604
Nº ref. fabric.:
NTMFS3D0N08XT1G
Fabricante:
onsemi
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

154A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

DFN-5

Serie

NTMFS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

133W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

45nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

Pb-Free, RoHS

Altura

1mm

Anchura

5.15 mm

Longitud

6.15mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY
La tecnología MOSFET de potencia de ON Semiconductor con la mejor resistencia de conexión de su clase para aplicaciones de controladores de motor. Una menor resistencia a la conexión y una menor carga en la puerta pueden reducir las pérdidas de conducción. Un buen control de la suavidad para la recuperación inversa del diodo del cuerpo puede reducir el estrés de los picos de tensión sin circuito snubber adicional en la aplicación.

Sin halógenos

Compatible con RoHS

Enlaces relacionados