MOSFET ROHM, Tipo P-Canal HT8KB6TB1, VDSS 40 V, ID 15 A, HSMT-8, Reducción de 8 pines, 1
- Código RS:
- 265-123
- Nº ref. fabric.:
- HT8KB6TB1
- Fabricante:
- ROHM
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tira de 10 unidades)*
7,05 €
(exc. IVA)
8,53 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 100 unidad(es) más para enviar a partir del 26 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tira* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,705 € | 7,05 € |
| 100 - 240 | 0,67 € | 6,70 € |
| 250 - 490 | 0,62 € | 6,20 € |
| 500 - 990 | 0,571 € | 5,71 € |
| 1000 + | 0,55 € | 5,50 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 265-123
- Nº ref. fabric.:
- HT8KB6TB1
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 15A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | HT8KB6 | |
| Encapsulado | HSMT-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 17.2mΩ | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 14W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 15A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie HT8KB6 | ||
Encapsulado HSMT-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 17.2mΩ | ||
Modo de canal Reducción | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 14W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10.6nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET ROHM está diseñado para aplicaciones exigentes que requieren una eficiencia y fiabilidad excepcionales. El robusto diseño del producto, con baja resistencia a la conexión y alta capacidad de potencia, lo convierte en la opción ideal para accionamientos de motores y otras necesidades de gestión de potencia. Destaca por su embalaje compacto HSMT8, que garantiza la facilidad de integración en diversos sistemas electrónicos.
El diseño sin halógenos cumple las normas medioambientales internacionales
Pruebas Rg y UIS garantizadas al 100% para una mayor fiabilidad
El amplio rango de temperaturas de unión permite aplicaciones versátiles
La alta capacidad de corriente de drenaje pulsada admite perfiles operativos exigentes
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 80 V Reducción, HSMT-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Reducción, HSMT-8AG de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Reducción, HSMT-8AG de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Reducción, HSMT-8AG de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, HSMT-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, HSMT-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, HSMT-8 de 8 pines
- MOSFET ROHM RQ3N040ATTB1 ID 10 A, HSMT-8 de 8 pines