MOSFET, Canal P-Canal ROHM RQ3N025ATTB1, VDSS -80 V, ID 7 A, HSMT de 8 pines
- Código RS:
- 780-367
- Nº ref. fabric.:
- RQ3N025ATTB1
- Fabricante:
- ROHM
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 tira de 20 unidades)*
8,70 €
(exc. IVA)
10,52 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Nuevo producto - Resérvalo hoy
- Envío desde el 08 de julio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tira* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,435 € | 8,70 € |
| 200 - 980 | 0,382 € | 7,64 € |
| 1000 + | 0,309 € | 6,18 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 780-367
- Nº ref. fabric.:
- RQ3N025ATTB1
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Canal P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -80V | |
| Encapsulado | HSMT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 280mΩ | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 14W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Anchura | 3.4mm | |
| Longitud | 3.45mm | |
| Altura | 0.8mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Canal P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -80V | ||
Encapsulado HSMT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 280mΩ | ||
Disipación de potencia máxima Pd 14W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Anchura 3.4mm | ||
Longitud 3.45mm | ||
Altura 0.8mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de ROHM proporciona conmutación de canal P de alto rendimiento para accionamiento de motor y gestión de potencia. Este robusto dispositivo está diseñado para funcionar a alta velocidad, lo que garantiza un rendimiento eficiente en convertidores de DC a DC exigentes.
Tensión de drenaje a fuente de -30 V
Corriente de drenaje continua de -13 A
Rendimiento de conmutación de alta velocidad
Encapsulado compacto TSMT6 para montaje en superficie
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 80 V Reducción, HSMT-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Reducción, HSMT-8AG de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, HSMT-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, HSMT-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Reducción, HSMT-8AG de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Reducción, HSMT-8AG de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, HSMT-8 de 8 pines
- MOSFET ROHM VDSS 40 V HSMT-8 1