MOSFET, Canal P-Canal ROHM RQ3N025ATTB1, VDSS -80 V, ID 7 A, HSMT de 8 pines

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Código RS:
780-367
Nº ref. fabric.:
RQ3N025ATTB1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Canal P

Corriente continua máxima de drenaje ld

7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-80V

Encapsulado

HSMT

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

280mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

14W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Anchura

3.4mm

Altura

0.8mm

Longitud

3.45mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de ROHM proporciona conmutación de canal P de alto rendimiento para accionamiento de motor y gestión de potencia. Este robusto dispositivo está diseñado para funcionar a alta velocidad, lo que garantiza un rendimiento eficiente en convertidores de DC a DC exigentes.

Tensión de drenaje a fuente de -30 V

Corriente de drenaje continua de -13 A

Rendimiento de conmutación de alta velocidad

Encapsulado compacto TSMT6 para montaje en superficie

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