MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC007N04LS6SCATMA1, VDSS 40 V, ID 381 A, Mejora, PG-WSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 284-635
- Nº ref. fabric.:
- BSC007N04LS6SCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,425 € | 6,85 € |
| 20 - 198 | 3,085 € | 6,17 € |
| 200 - 998 | 2,845 € | 5,69 € |
| 1000 - 1998 | 2,635 € | 5,27 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 284-635
- Nº ref. fabric.:
- BSC007N04LS6SCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 381A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | PG-WSON-8 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 188W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 381A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado PG-WSON-8 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 188W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon es un transistor de potencia para aplicaciones de alto rendimiento que requieren una eficiencia y fiabilidad robustas. Con su encapsulado refrigerado de doble cara, cuenta con la resistencia térmica de unión más baja a TOP, lo que permite una disipación de calor superior. El diseño de canal N garantiza un rendimiento óptimo en aplicaciones síncronas, lo que lo convierte en una elección ideal para sistemas de gestión de potencia modernos. Dispone de un chapado de plomo sin plomo y conformidad con RoHS. Además, su alta calificación de avalancha garantiza la estabilidad en condiciones exigentes, mientras que la temperatura de funcionamiento nominal de hasta 175 °C mejora su usabilidad en varios entornos.
Integración perfecta para aplicaciones síncronas
Cumple los estándares JEDEC para uso industrial
La gestión térmica avanzada mejora la resistencia
Resistencia excepcional para mayor eficiencia
Maneja la alta energía de avalancha de manera fiable
Admite un diseño sin halógenos y respetuoso con el medio ambiente
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