MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC023N08NS5SCATMA1, VDSS 100 V, ID 171 A, Mejora, PG-WSON-8 de 8 pines

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Código RS:
284-636
Nº ref. fabric.:
BSC023N08NS5SCATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

171A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

OptiMOS

Encapsulado

PG-WSON-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

188W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia OptiMOS de Infineon está diseñado para sobresalir en aplicaciones exigentes que requieren alta eficiencia y rendimiento robusto. Diseñado con un innovador encapsulado PG WSON 8, este transistor proporciona una excelente gestión térmica, lo que garantiza una disipación de calor óptima durante el funcionamiento. Además, su capacidad de refrigeración de doble lado mejora significativamente el rendimiento térmico, y el rango de temperatura de funcionamiento ampliado permite una mayor versatilidad en diversos entornos. Con un enfoque en la fiabilidad, este dispositivo se ha sometido a pruebas rigurosas para garantizar que cumple los estrictos estándares de calidad esperados en aplicaciones industriales, lo que lo convierte en una elección fiable para los ingenieros que buscan mejorar el rendimiento del sistema al tiempo que gestionan las restricciones térmicas.

La alta eficiencia minimiza la pérdida de energía

La refrigeración de doble lado mejora la gestión térmica

Diseño compacto para la integración de ahorro de espacio

Cumple los estándares de alta fiabilidad

Apto para diversas aplicaciones industriales

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