MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC160N15NS5SCATMA1, VDSS 150 V, ID 56 A, Mejora, PG-WSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 284-650
- Nº ref. fabric.:
- BSC160N15NS5SCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 284-650
- Nº ref. fabric.:
- BSC160N15NS5SCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 56A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | PG-WSON-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 16mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 115W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 56A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado PG-WSON-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 16mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 115W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia OptiMOS de Infineon está diseñado para proporcionar un rendimiento excepcional en aplicaciones de conmutación de alta frecuencia. Con un valor nominal robusto de 150 V, sirve como una solución fiable para electrónica industrial y de automoción. El encapsulado PG WSON 8 con refrigeración de dos lados garantiza una resistencia térmica mínima, lo que permite una disipación de calor eficiente incluso en condiciones de carga pesada. Diseñado para funcionamiento de canal N, este MOSFET destaca en la rectificación síncrona, lo que lo convierte en ideal para tareas de gestión de potencia donde la eficiencia y la fiabilidad son primordiales. Los fabricantes pueden confiar en este componente para cumplir con requisitos estrictos, lo que proporciona un rendimiento efectivo y estable en entornos exigentes.
Optimizado para funcionamiento de alta frecuencia
La refrigeración de doble lado reduce la resistencia térmica
Chapado de cable sin plomo para cumplir con RoHS
El excelente rendimiento de carga de puerta aumenta la eficiencia
Ideal para aplicaciones de rectificación síncrona
Funciona a altas temperaturas sin pérdida de eficiencia
Calificación conforme a los estándares JEDEC para la industria
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