MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC030N10NS5SCATMA1, VDSS 100 V, ID 171 A, Mejora, PG-WSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 284-640
- Nº ref. fabric.:
- BSC030N10NS5SCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*
7,46 €
(exc. IVA)
9,02 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponibilidad de stock no accesible
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,73 € | 7,46 € |
| 20 - 198 | 3,36 € | 6,72 € |
| 200 - 998 | 3,09 € | 6,18 € |
| 1000 - 1998 | 2,87 € | 5,74 € |
| 2000 + | 2,57 € | 5,14 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 284-640
- Nº ref. fabric.:
- BSC030N10NS5SCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 171A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | PG-WSON-8 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 188W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 171A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado PG-WSON-8 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 188W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia OptiMOS de Infineon está diseñado para proporcionar un rendimiento excepcional en aplicaciones exigentes. Como parte de la serie OptiMOS 5, combina tecnología de conexión a tierra con características robustas para satisfacer las necesidades de aplicaciones industriales. Con una tensión de ruptura de fuente de drenaje sustancial de 100 V y una capacidad de avalancha significativa, este componente garantiza un funcionamiento robusto en situaciones de alta tensión. El diseño innovador del producto simplifica la disipación de calor, preservando el rendimiento incluso bajo cargas pesadas, lo que se traduce en una mayor longevidad y fiabilidad en sus circuitos.
La refrigeración de doble lado optimiza la distribución del calor
Valor nominal de 175 °C para entornos exigentes
La configuración del canal N mejora la flexibilidad
La resistencia térmica superior maximiza la eficiencia
100% probado contra avalanchas para mayor fiabilidad
El chapado sin plomo cumple con RoHS
Construcción sin halógenos para mayor compatibilidad con el medio ambiente
Calificación conforme a los estándares JEDEC para la industria
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, PG-WSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, PG-WSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, PG-WSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, PG-WSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, PG-WSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, PG-WSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, PG-WSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, PG-WSON-8 de 8 pines