MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC110N15NS5SCATMA1, VDSS 150 V, ID 77 A, Mejora, PG-WSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 284-648
- Nº ref. fabric.:
- BSC110N15NS5SCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 284-648
- Nº ref. fabric.:
- BSC110N15NS5SCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 77A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | PG-WSON-8 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 11mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 77A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado PG-WSON-8 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 11mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia OptiMOS de Infineon se sitúa como un punto culminante de rendimiento en el ámbito de la tecnología de MOSFET. Diseñado para aplicaciones industriales exigentes, ofrece una eficiencia y fiabilidad superiores, lo que lo convierte en una elección ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona. Con una innovadora refrigeración de doble lado y una capacidad de temperatura de funcionamiento de hasta 175 °C, este dispositivo garantiza un funcionamiento robusto incluso bajo tensión térmica significativa. La infusión de materiales avanzados mejora aún más su estabilidad térmica y fiabilidad, lo que garantiza que cumpla los estándares del sector más estrictos. Con su completa validación conforme a los estándares JEDEC, este MOSFET está diseñado para ingenieros que buscan la excelencia en electrónica de potencia.
Resistencia térmica excepcional para mayor fiabilidad
Diseño de canal N para conmutación versátil
Encapsulado simplificado para ahorrar espacio
Calificado para el rendimiento de aplicaciones industriales
Optimizado para diseños de tecnología de alta frecuencia
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