MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC093N15NS5SCATMA1, VDSS 150 V, ID 89 A, Mejora, PG-WSON-8 de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
284-645
Nº ref. fabric.:
BSC093N15NS5SCATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

89A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Serie

OptiMOS

Encapsulado

PG-WSON-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

167W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia OptiMOS de Infineon es un MOSFET de canal N de alto rendimiento diseñado para aplicaciones exigentes que requieren una eficiencia óptima. Con una tensión de funcionamiento de hasta 150 V y un rendimiento térmico excepcional. Diseñado con tecnología de refrigeración de doble cara, proporciona una resistencia térmica excepcional, lo que garantiza un funcionamiento fiable incluso en condiciones exigentes. La integración de elementos de diseño innovadores reduce la resistencia y mejora la eficiencia general de los sistemas de gestión de potencia. Ideal para aplicaciones industriales, su construcción robusta garantiza una larga vida útil y un rendimiento fiable.

Encapsulado refrigerado de doble lado para gestión térmica

Excelente eficiencia de potencia para uso de alta frecuencia

Amplio rango de temperaturas de funcionamiento para mayor fiabilidad

La baja resistencia de encendido mejora la eficiencia energética

Velocidades de conmutación rápidas para aplicaciones de alimentación avanzadas

Calificación conforme a los estándares JEDEC para la industria

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