MOSFET, N-Canal Infineon IAUTN12S5N017ATMA1, VDSS 120 V, ID 314 A, Mejora, PG-HSOF-8-1 de 8 pines
- Código RS:
- 284-669
- Nº ref. fabric.:
- IAUTN12S5N017ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 284-669
- Nº ref. fabric.:
- IAUTN12S5N017ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 314A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 120V | |
| Encapsulado | PG-HSOF-8-1 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 358W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 314A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 120V | ||
Encapsulado PG-HSOF-8-1 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 358W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de automoción Infineon OptiMOS 5 está diseñado para un rendimiento robusto en aplicaciones exigentes. Con la tecnología OptiMOS 5, destaca en eficiencia y fiabilidad, lo que lo convierte en una elección ideal para soluciones de gestión de potencia de automoción. Su estructura de modo de mejora de canal N proporciona un alto nivel de funcionalidad al tiempo que cumple los rigurosos estándares del sector. Diseñado para resistir condiciones extremas, este transistor de potencia garantiza una operatividad de hasta 175 °C y dispone de una calificación ampliada más allá de AEC Q101.
Optimizado para compatibilidad de automoción
Las pruebas mejoradas garantizan un rendimiento fiable
Diseño robusto con gestión térmica avanzada
La calificación MSL1 admite reflujo de pico de 260 °C
Conformidad con RoHS para iniciativas respetuosas con el medio ambiente
La prueba de avalancha confirma la resistencia a transitorios
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