MOSFET Infineon ISZ15EP15LMATMA1, VDSS 150 V, ID 2,7 A, PG-TSDSON-8 FL de 8 pines

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Código RS:
284-792
Nº ref. fabric.:
ISZ15EP15LMATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

2,7 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

150 V

Serie

OptiMOS Power Transistor

Tipo de Encapsulado

PG-TSDSON-8 FL

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Modo de Canal

Mejora

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

SiC

El MOSFET de Infineon es un MOSFET de canal P de alto rendimiento diseñado para aplicaciones exigentes que requieren una eficiencia y fiabilidad excepcionales. Este transistor de potencia funciona con una tensión fuente de drenaje máxima de 150 V, lo que lo convierte en una opción excelente para diversas aplicaciones de conmutación de potencia. Fabricado con la avanzada tecnología OptiMOS, presenta una resistencia de encendido muy baja, lo que garantiza una pérdida de potencia mínima durante el funcionamiento. Además, este componente cumple plenamente las normativas RoHS y de ausencia de halógenos, lo que pone de relieve su diseño respetuoso con el medio ambiente. Con rigurosas pruebas de avalancha y el cumplimiento de las normas JEDEC para aplicaciones industriales, este dispositivo destaca como una opción robusta y versátil para los ingenieros que buscan mejorar sus diseños de circuitos con una tecnología fiable.

Admite fácilmente aplicaciones de alta tensión
Rendimiento térmico y eficiencia excepcionales
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Encapsulado compacto para diseños sensibles al espacio
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