MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ0803LSATMA1, VDSS 100 V, ID 40 A, N, TSDSON-8 FL de 8 pines

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Código RS:
234-6990
Nº ref. fabric.:
BSZ0803LSATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TSDSON-8 FL

Serie

BSZ

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

20.8mΩ

Modo de canal

N

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.6nC

Disipación de potencia máxima Pd

52W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5.35mm

Altura

1.2mm

Anchura

6.1 mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de canal N OptiMOSTM PD de Infineon se dirige a aplicaciones de USB-PD y adaptador. El producto ofrece un montaje en rampa rápido y tiempos de conexión optimizados. Los transistores MOSFET de baja tensión OptiMOSTM para suministro de potencia permiten diseños con menos piezas que conducen a una reducción de costes BOM y disponen de productos de calidad en encapsulados compactos y ligeros. Tiene una corriente de drenaje continua máxima de 40 A y una tensión de fuente de drenaje máxima de 100 V. Es ideal para conmutación de alta frecuencia y optimizado para cargadores.

Disponibilidad de nivel lógico

Baja resistencia en estado encendido RDS(on)

Carga de salida, puerta baja y recuperación inversa

Excelente comportamiento térmico

100 % a prueba de avalancha

Tiene chapado de cable sin plomo.

Sin halógenos conforme a IEC61249-2-21

Conforme a RoHS

Disponible en 2 pequeños encapsulados estándar

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