MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ0803LSATMA1, VDSS 100 V, ID 40 A, N, TSDSON-8 FL de 8 pines
- Código RS:
- 234-6991
- Nº ref. fabric.:
- BSZ0803LSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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*precio indicativo
- Código RS:
- 234-6991
- Nº ref. fabric.:
- BSZ0803LSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TSDSON-8 FL | |
| Serie | BSZ | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 20.8mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 52W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5.35mm | |
| Anchura | 6.1 mm | |
| Altura | 1.2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TSDSON-8 FL | ||
Serie BSZ | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20.8mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 52W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5.35mm | ||
Anchura 6.1 mm | ||
Altura 1.2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de canal N OptiMOSTM PD de Infineon se dirige a aplicaciones de USB-PD y adaptador. El producto ofrece un montaje en rampa rápido y tiempos de conexión optimizados. Los transistores MOSFET de baja tensión OptiMOSTM para suministro de potencia permiten diseños con menos piezas que conducen a una reducción de costes BOM y disponen de productos de calidad en encapsulados compactos y ligeros. Tiene una corriente de drenaje continua máxima de 40 A y una tensión de fuente de drenaje máxima de 100 V. Es ideal para conmutación de alta frecuencia y optimizado para cargadores.
Disponibilidad de nivel lógico
Baja resistencia en estado encendido RDS(on)
Carga de salida, puerta baja y recuperación inversa
Excelente comportamiento térmico
100 % a prueba de avalancha
Tiene chapado de cable sin plomo.
Sin halógenos conforme a IEC61249-2-21
Conforme a RoHS
Disponible en 2 pequeños encapsulados estándar
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