MOSFET Infineon ISZ24DP10LMATMA1, VDSS 100 V, ID 10,3 A, PG-TSDSON-8 FL de 8 pines

Ver todo MOSFET
No disponible
RS ya no dispondrá de este producto.
Opciones de empaquetado:
Código RS:
284-795
Nº ref. fabric.:
ISZ24DP10LMATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

10,3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Tipo de Encapsulado

PG-TSDSON-8 FL

Serie

OptiMOS Power Transistor

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Modo de Canal

Mejora

Material del transistor

SiC

Número de Elementos por Chip

1

El MOSFET de Infineon es un transistor de potencia OptiMOS diseñado para aplicaciones de alto rendimiento que requieren una gran fiabilidad y eficiencia. Con su configuración de canal P y una impresionante tensión de ruptura de 100 V, este dispositivo promete un funcionamiento óptimo en diversas condiciones. Su exclusivo diseño en modo de mejora garantiza una resistencia mínima, mientras que el dispositivo cumple plenamente la normativa RoHS y no contiene halógenos, lo que lo convierte en una opción responsable con el medio ambiente. El transistor de potencia ofrece un rendimiento térmico notable, inspirado en tecnologías de acoplamiento avanzadas, que garantiza una alta eficiencia para aplicaciones industriales. Está totalmente cualificado según las directrices JEDEC, lo que proporciona confianza en la estabilidad operativa a largo plazo.

Rendimiento excepcional en conmutación de alta velocidad
Accionamiento de puerta de nivel lógico para facilitar la interconexión
Mayor resistencia térmica para mayor fiabilidad
Cumple los estrictos requisitos de las aplicaciones industriales
Tamaño compacto para un uso eficiente del espacio de la placa de circuito impreso
Totalmente cualificado según las normas del sector

Enlaces relacionados