MOSFET Infineon ISZ56DP15LMATMA1, VDSS 150 V, ID 6,7 A, PG-TSDSON-8 FL de 8 pines

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Código RS:
284-800
Nº ref. fabric.:
ISZ56DP15LMATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

6,7 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

150 V

Serie

OptiMOS Power Transistor

Tipo de Encapsulado

PG-TSDSON-8 FL

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Modo de Canal

Mejora

Material del transistor

SiC

Número de Elementos por Chip

1

El MOSFET de Infineon es un transistor de potencia OptiMOS que presenta una solución innovadora para la gestión de potencia de alta eficiencia. Este versátil MOSFET de canal P se ha diseñado específicamente para adaptarse a aplicaciones de alta y baja frecuencia de conmutación. Con una robusta estructura de resistencia térmica, el dispositivo garantiza un rendimiento fiable incluso en condiciones de funcionamiento difíciles. Con su chapado en plomo sin Pb y el cumplimiento de las normas RoHS, este transistor encarna las prácticas respetuosas con el medio ambiente al tiempo que mantiene unas características eléctricas excepcionales. Totalmente validado para aplicaciones industriales y sometido a pruebas de avalancha al 100%, el OptiMOS no sólo eleva la fiabilidad del sistema, sino que también mejora la eficiencia energética general, lo que lo convierte en una opción ideal para los diseños electrónicos modernos.

Optimizado para un rendimiento térmico superior
Sin halógenos para aplicaciones ecológicas
Robustez en diversas condiciones industriales
Accionamiento de nivel lógico para un control simplificado
Validado según las normas JEDEC
Fácil integración en circuitos de potencia

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