MOSFET Infineon ISZ75DP15LMATMA1, VDSS 150 V, ID 5,1 A, PG-TSDSON-8 FL de 8 pines

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Código RS:
284-803
Nº ref. fabric.:
ISZ75DP15LMATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

5,1 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

150 V

Tipo de Encapsulado

PG-TSDSON-8 FL

Serie

OptiMOS Power Transistor

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Modo de Canal

Mejora

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

SiC

El MOSFET de Infineon es un transistor de potencia de vanguardia diseñado para aplicaciones de alto rendimiento. Diseñado con la avanzada tecnología OptiMOS, este dispositivo ofrece una eficiencia excepcional mientras funciona a una tensión máxima de 150 V. Su atributo de baja resistencia a la conexión garantiza unas pérdidas de energía mínimas, por lo que resulta ideal para aplicaciones que requieren una gestión fiable de la alimentación. El producto está totalmente cualificado conforme a las normas JEDEC, lo que garantiza su idoneidad para entornos industriales exigentes. Con unas características térmicas robustas y la capacidad de soportar una elevada corriente de drenaje continua, es un ejemplo de fiabilidad y durabilidad en diversas condiciones.

Diseño de canal P para una gestión versátil de la energía
Mayor resistencia térmica para mayor fiabilidad
seguridad 100% a prueba de avalanchas
La compatibilidad a nivel lógico simplifica el diseño
Revestimiento de plomo sin plomo para prácticas ecológicas
La construcción sin halógenos cumple la normativa
Amplia gama de temperaturas de funcionamiento para mayor flexibilidad
Paquete compacto PG TSDSON 8 para facilitar la integración

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