MOSFET Infineon IPDQ65R060CFD7XTMA1, VDSS 650 V, ID 45 A, PG-HDSOP-22 de 22 pines

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Código RS:
284-877
Nº ref. fabric.:
IPDQ65R060CFD7XTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

45 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

PG-HDSOP-22

Serie

650V CoolMOS

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

22

Modo de Canal

Mejora

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

SiC

El MOSFET de Infineon cuenta con un CoolMOS CFD7 de 650 V es un dispositivo de potencia avanzado diseñado para mejorar la eficiencia en topologías de conmutación resonante. Este innovador MOSFET amplía las prestaciones de sus predecesores, ofreciendo un rendimiento térmico excepcional y características de conmutación mejoradas. Con su tecnología de diodo de cuerpo rápido, la CoolMOS CFD7 garantiza una fiabilidad y robustez superiores en aplicaciones exigentes. Es idóneo para fuentes de alimentación conmutadas industriales, especialmente en aplicaciones de puente completo con cambio de fase y LLC. La combinación de alta densidad de potencia y extraordinaria eficiencia de este producto lo convierte en la opción preferida de los ingenieros que buscan mejorar sus diseños en sectores como las telecomunicaciones, la energía solar y los sistemas de carga de vehículos eléctricos.

El diodo de cuerpo ultrarrápido mejora la eficiencia global
Proporciona robustez para una conmutación dura fiable
Supera las estrictas normas de fiabilidad de rendimiento
Minimiza las pérdidas de conmutación para un funcionamiento superior
Ofrece un sólido margen de seguridad para tensiones de bus elevadas
Facilita a las industrias una eficiencia excepcional con cargas ligeras
Admite una gestión térmica avanzada con baja resistencia

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