MOSFET Infineon IPDQ65R029CFD7XTMA1, VDSS 650 V, ID 85 A, PG-HDSOP-22 de 22 pines

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Código RS:
284-871
Nº ref. fabric.:
IPDQ65R029CFD7XTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

85 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

PG-HDSOP-22

Serie

650V CoolMOS

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

22

Modo de Canal

Mejora

Material del transistor

SiC

Número de Elementos por Chip

1

El MOSFET de Infineon está diseñado para satisfacer los exigentes requisitos de las aplicaciones de conmutación de alta eficiencia. Incorpora la tecnología de vanguardia de la serie CFD7 de coolmos, lo que permite un rendimiento superior en diversos escenarios, incluidas las topologías de puente completo resonante y de desplazamiento de fase. Con una tensión de ruptura nominal de 650 V, este dispositivo optimiza la eficiencia y la gestión térmica, por lo que resulta adecuado para los sistemas de alimentación modernos. Su tecnología de diodo de cuerpo rápido proporciona un funcionamiento robusto, lo que garantiza que pueda manejar cargas transitorias elevadas con facilidad. Tanto si se utiliza en aplicaciones de servidor, sistemas de telecomunicaciones o soluciones de energías renovables como la carga de vehículos eléctricos y la energía solar, este MOSFET es una opción excelente para los fabricantes que buscan elevar su oferta de productos.

El diodo de cuerpo ultrarrápido garantiza una respuesta rápida
La baja resistencia térmica optimiza la disipación del calor
Su mayor robustez garantiza un funcionamiento fiable
La mejora de la conmutación aumenta la eficiencia
Diseñado para aplicaciones de alta densidad de potencia
La exhaustiva cualificación JEDEC garantiza la calidad

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