MOSFET Infineon IPDQ60R025CFD7XTMA1, VDSS 600 V, ID 90 A, PG-HDSOP-22 de 22 pines

El MOSFET de Infineon cuenta con un transistor de potencia CoolMOS CFD7 que establece un nuevo punto de referencia en la gestión de potencia de alta tensión, meticulosamente diseñado para aplicaciones de puente completo de cambio de fase y LLC. Su innovadora tecnología de superunión garantiza una eficiencia excepcional en topologías resonantes, lo que la posiciona perfectamente para entornos de conmutación suave. Con un diseño robusto que combina un rendimiento ultrarrápido del diodo de cuerpo con una carga de puerta mínima, este transistor de potencia mejora significativamente la fiabilidad y el rendimiento del sistema. Ideal para diversas aplicaciones, como infraestructura de servidores, sistemas de telecomunicaciones y carga de vehículos eléctricos, ejemplifica el pináculo de la eficiencia y la robustez. La serie CFD7 anuncia un enfoque sofisticado de la gestión de la energía, que no sólo satisface sino que supera las exigencias modernas de eficiencia energética y robustez operativa.

El diodo de cuerpo ultrarrápido optimiza la conmutación
La baja carga de puerta garantiza una alta eficiencia
La mejor recuperación inversa de su clase mejora el rendimiento
Diseño robusto que soporta la tensión di/dt
Ideal para soluciones de alta densidad de potencia
Cualificado por JEDEC para uso industrial
La aplicación racionalizada simplifica los procesos de diseño