MOSFET Infineon IPDQ65R040CFD7XTMA1, VDSS 650 V, ID 64 A, PG-HDSOP-22 de 22 pines

Ver todo MOSFET
No disponible
RS ya no dispondrá de este producto.
Opciones de empaquetado:
Código RS:
284-874
Nº ref. fabric.:
IPDQ65R040CFD7XTMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

64 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Serie

650V CoolMOS

Tipo de Encapsulado

PG-HDSOP-22

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

22

Modo de Canal

Mejora

Material del transistor

SiC

Número de Elementos por Chip

1

El MOSFET de Infineon cuenta con un dispositivo de potencia CoolMOS CFD7 de 650 V que establece un nuevo punto de referencia en eficiencia y fiabilidad. Diseñado para aplicaciones de vanguardia, es el sucesor de su célebre predecesor y ofrece un comportamiento térmico mejorado y un rendimiento de conmutación superior. Con una eficiencia sin precedentes en topologías de conmutación resonante como LLC y configuraciones de puente completo con desplazamiento de fase, este dispositivo es una opción ideal para soluciones de potencia de alta densidad. Su tecnología de diodo de cuerpo rápido no sólo ofrece una robustez excepcional, sino que también admite diseños de circuitos intrincados en sectores como el de servidores, telecomunicaciones, carga de vehículos eléctricos y aplicaciones solares.

El diodo de cuerpo ultrarrápido mejora el rendimiento
Reduce las pérdidas de conmutación para mejorar la eficiencia
Excepcional resistencia térmica en diseños compactos
Conmutación dura fiable para aplicaciones exigentes
Ideal para soluciones de alta densidad de potencia
Optimiza la eficiencia de la carga ligera en instalaciones industriales
Adaptado a la compatibilidad e integración de las modernas placas de circuito impreso

Enlaces relacionados