MOSFET Infineon IPDQ65R099CFD7XTMA1, VDSS 650 V, ID 29 A, PG-HDSOP-22 de 22 pines

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Código RS:
284-883
Nº ref. fabric.:
IPDQ65R099CFD7XTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

29 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

PG-HDSOP-22

Serie

650V CoolMOS

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

22

Modo de Canal

Mejora

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

SiC

El MOSFET Infineon CoolMOS CFD7 de 650 V está diseñado para ofrecer un rendimiento superior en aplicaciones exigentes. Específicamente diseñado para topologías de conmutación resonante como LLC y diseños de puente completo con desplazamiento de fase, este dispositivo de potencia eleva los estándares de eficiencia gracias a sus características térmicas mejoradas y a su mayor capacidad de conmutación. Como actualización vital de su predecesor, el CFD2, está diseñado para ofrecer una robustez y fiabilidad excepcionales, por lo que resulta ideal para soluciones de alimentación de alta eficiencia en sectores que van desde las telecomunicaciones hasta la carga de vehículos eléctricos. La integración de la tecnología de diodos de cuerpo rápido mejora aún más su rendimiento, garantizando una eficiencia de primer nivel al tiempo que se mantiene una gestión térmica óptima, lo que permite ofrecer soluciones de mayor densidad de potencia.

Diodo de cuerpo ultrarrápido para una conmutación rápida
Optimizado para bajas pérdidas de conmutación
Su diseño duradero garantiza una conmutación dura
Admite aplicaciones de tensión de bus más amplias
Ideal para la eficiencia de SMPS industriales
Facilita soluciones de alta densidad de potencia
Totalmente cualificado según las normas JEDEC

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