MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQDH35N03LM5CGATMA1, VDSS 25 V, ID 789 A, Mejora, PG-TTFN-9 de 9 pines
- Código RS:
- 284-941
- Nº ref. fabric.:
- IQDH35N03LM5CGATMA1
- Fabricante:
- Infineon
No disponible actualmente
Lo sentimos, no sabemos cuándo volverá a estar disponible
- Código RS:
- 284-941
- Nº ref. fabric.:
- IQDH35N03LM5CGATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 789A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 25V | |
| Encapsulado | PG-TTFN-9 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 9 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.29mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 278W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 789A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 25V | ||
Encapsulado PG-TTFN-9 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 9 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.29mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 278W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon dispone de un transistor de potencia OptiMOS 5 que ejemplifica la tecnología de vanguardia en rendimiento de MOSFET, diseñada principalmente para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia. Este transistor funciona a una tensión de 25 V y está diseñado a medida para una gestión térmica inigualable y una baja resistencia de encendido, lo que garantiza una eficiencia superior en entornos exigentes. Fabricado con materiales avanzados y cumpliendo los más altos estándares industriales, destaca por su capacidad de manejar cargas de alta corriente al tiempo que mantiene una baja pérdida de energía. El diseño único admite una resistencia térmica robusta, lo que facilita la disipación de calor eficaz, incluso en diseños compactos.
Tecnología de canal N para conmutación rápida
La baja resistencia de encendido reduce las pérdidas de energía
Resistencia térmica superior para mayor fiabilidad
Totalmente calificado para durabilidad industrial
Prueba de avalancha para un rendimiento constante
El chapado sin plomo apoya la sostenibilidad
La construcción sin halógenos cumple los estándares de seguridad
Diseño compacto para una fácil integración
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 25 V Mejora, PG-TTFN-9 de 9 pines
- MOSFET VDSS 25 V Mejora, PG-TTFN-9 de 9 pines
- MOSFET Infineon IQE046N08LM5CGATMA1 ID 99 A, PG-TTFN-9 de 9 pines
- MOSFET Infineon IQD063N15NM5CGATMA1 ID 148 A, PG-TTFN-9 de 9 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PG-TTFN-9 de 9 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, PG-TTFN-9 de 9 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PG-TTFN-9 de 9 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PG-TTFN-9 de 9 pines
