MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQD009N06NM5CGATMA1, VDSS 60 V, ID 445 A, Mejora, PG-TTFN-9 de 9 pines
- Código RS:
- 284-929
- Nº ref. fabric.:
- IQD009N06NM5CGATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*
7,74 €
(exc. IVA)
9,36 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 100 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,87 € | 7,74 € |
| 20 - 198 | 3,48 € | 6,96 € |
| 200 - 998 | 3,215 € | 6,43 € |
| 1000 - 1998 | 2,975 € | 5,95 € |
| 2000 + | 2,67 € | 5,34 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 284-929
- Nº ref. fabric.:
- IQD009N06NM5CGATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislation and Compliance
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 445A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PG-TTFN-9 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 9 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 333W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 445A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PG-TTFN-9 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 9 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 333W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon dispone de un transistor de potencia OptiMOS 5 diseñado para un rendimiento de alta eficiencia en varias aplicaciones, lo que proporciona un funcionamiento estable a una tensión máxima de 60 V. Este MOSFET de canal N dispone de una resistencia de conexión baja, que reduce significativamente las pérdidas de potencia, lo que garantiza que sus diseños mantengan una gestión térmica óptima incluso en condiciones exigentes. Con características de avalancha avanzadas y amplias pruebas de fiabilidad, este dispositivo se adapta a aplicaciones industriales que requieren una resistencia térmica superior y un rendimiento robusto. El encapsulado Compact PG TTFN 9 mejora la facilidad de integración en diseños existentes, lo que lo convierte en una opción ideal para los ingenieros que buscan mejorar sus sistemas.
La resistencia de encendido muy baja mejora la eficiencia
Resistencia térmica mejorada para un mejor rendimiento
Optimizado para corrientes continuas e impulsadas
Calificaciones de avalancha completas para mayor durabilidad
Conformidad con RoHS y sin halógenos
Calificación completa conforme a los estándares JEDEC
Ahorro significativo en la disipación de potencia
Rango de temperaturas flexible para entornos diversos
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PG-TTFN-9 de 9 pines
- MOSFET Infineon IQE046N08LM5CGATMA1 ID 99 A, PG-TTFN-9 de 9 pines
- MOSFET Infineon IQD063N15NM5CGATMA1 ID 148 A, PG-TTFN-9 de 9 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PG-TTFN-9 de 9 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, PG-TTFN-9 de 9 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PG-TTFN-9 de 9 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, PG-TTFN-9 de 9 pines
- MOSFET VDSS 25 V Mejora, PG-TTFN-9 de 9 pines