MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQD009N06NM5CGATMA1, VDSS 60 V, ID 445 A, Mejora, PG-TTFN-9 de 9 pines
- Código RS:
- 284-928
- Nº ref. fabric.:
- IQD009N06NM5CGATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 284-928
- Nº ref. fabric.:
- IQD009N06NM5CGATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 445A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | PG-TTFN-9 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 9 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 333W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 445A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado PG-TTFN-9 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 9 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 333W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon dispone de un transistor de potencia OptiMOS 5 diseñado para un rendimiento de alta eficiencia en varias aplicaciones, lo que proporciona un funcionamiento estable a una tensión máxima de 60 V. Este MOSFET de canal N dispone de una resistencia de conexión baja, que reduce significativamente las pérdidas de potencia, lo que garantiza que sus diseños mantengan una gestión térmica óptima incluso en condiciones exigentes. Con características de avalancha avanzadas y amplias pruebas de fiabilidad, este dispositivo se adapta a aplicaciones industriales que requieren una resistencia térmica superior y un rendimiento robusto. El encapsulado Compact PG TTFN 9 mejora la facilidad de integración en diseños existentes, lo que lo convierte en una opción ideal para los ingenieros que buscan mejorar sus sistemas.
La resistencia de encendido muy baja mejora la eficiencia
Resistencia térmica mejorada para un mejor rendimiento
Optimizado para corrientes continuas e impulsadas
Calificaciones de avalancha completas para mayor durabilidad
Conformidad con RoHS y sin halógenos
Calificación completa conforme a los estándares JEDEC
Ahorro significativo en la disipación de potencia
Rango de temperaturas flexible para entornos diversos
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