MOSFET, N-Canal Infineon IQDH45N04LM6CGATMA1, VDSS 40 V, ID 637 A, Mejora, PG-TTFN-9 de 9 pines
- Código RS:
- 285-039
- Nº ref. fabric.:
- IQDH45N04LM6CGATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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*precio indicativo
- Código RS:
- 285-039
- Nº ref. fabric.:
- IQDH45N04LM6CGATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 637A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | PG-TTFN-9 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 9 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.45mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 333W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 637A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado PG-TTFN-9 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 9 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.45mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 333W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon dispone de un transistor de potencia avanzado que se destaca en aplicaciones de alto rendimiento, lo que proporciona una eficiencia y fiabilidad excepcionales. Diseñado dentro de la serie OptiMOS 6, presenta impresionantes características eléctricas, estableciendo un nuevo estándar para la tecnología MOSFET. Con pruebas de avalancha al 100 %, los usuarios pueden confiar en su robustez, ya se utilice en aplicaciones de gestión de potencia o control de motores. Además, su conformidad con RoHS y sus atributos sin halógenos garantizan la adhesión a estándares ambientales estrictos, lo que lo convierte en una elección inteligente para proyectos conscientes del medio ambiente.
Diseño de canal N para aplicaciones de nivel lógico
Resistencia térmica excepcional para disipación de calor
Diseñado para una eficiencia de conmutación rápida
Valor nominal de avalancha para fiabilidad bajo tensión
Sin plomo y conforme con RoHS para mayor compatibilidad con el medio ambiente
La construcción sin halógenos cumple los estándares de seguridad
Certificación JEDEC para rendimiento industrial
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