MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQD016N08NM5CGATMA1, VDSS 80 V, ID 323 A, Mejora, PG-TTFN-9 de 9 pines
- Código RS:
- 284-932
- Nº ref. fabric.:
- IQD016N08NM5CGATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,01 € | 8,02 € |
| 20 - 198 | 3,61 € | 7,22 € |
| 200 - 998 | 3,33 € | 6,66 € |
| 1000 - 1998 | 3,09 € | 6,18 € |
| 2000 + | 2,77 € | 5,54 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 284-932
- Nº ref. fabric.:
- IQD016N08NM5CGATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 323A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | PG-TTFN-9 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 9 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.57mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 333W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 106nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 323A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado PG-TTFN-9 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 9 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.57mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 333W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 106nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon dispone de un transistor de potencia OptiMOS 5 diseñado para proporcionar un rendimiento excepcional con su diseño de canal N avanzado. Este componente robusto es ideal para aplicaciones donde la alta eficiencia y la baja resistencia al encendido son primordiales. Al funcionar con una tensión de ruptura de 80 V, garantiza un funcionamiento fiable en entornos exigentes. Con un perfil de resistencia térmica superior, este transistor de potencia resiste los rigores de las aplicaciones industriales, lo que lo convierte en una solución ideal para los ingenieros que buscan mejorar la eficiencia energética en sistemas de gestión de potencia. Además, el extenso proceso de validación garantiza la adhesión a los más altos estándares de fiabilidad y seguridad, lo que garantiza que sus diseños sean a la vez eficientes y resistentes.
Canal N para una conducción de potencia eficiente
La baja resistencia de encendido minimiza la pérdida de potencia
Gestión térmica superior para una larga vida útil
100% probado contra avalanchas para estabilidad
Sin Pb y conforme a RoHS
Construcción sin halógenos para mayor seguridad
Calificación JEDEC para aplicaciones industriales
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