MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQDH29NE2LM5CGATMA1, VDSS 25 V, ID 789 A, Mejora, PG-TTFN-9 de 9 pines

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Código RS:
284-939
Nº ref. fabric.:
IQDH29NE2LM5CGATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

789A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

25V

Encapsulado

PG-TTFN-9

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

9

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.29mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

278W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Infineon dispone de un transistor de potencia optimos 5 diseñado para proporcionar un rendimiento excepcional en diversas aplicaciones industriales. Este transistor de canal N de vanguardia funciona a una tensión máxima de 25 V, lo que ofrece una impresionante resistencia de encendido baja y una gestión térmica mejorada. Su impresionante capacidad de corriente de drenaje continua de 789 A le permite funcionar de manera eficiente incluso en condiciones rigurosas. Construido para ser fiable, está completamente calificado de acuerdo con los estándares JEDEC que garantizan longevidad y durabilidad en el uso diario.

Resistencia térmica avanzada para una larga vida útil

La corriente de drenaje de tensión de puerta cero minimiza el desperdicio de energía

Robusto manejo de energía de avalancha para mayor fiabilidad

Sin plomo y conforme con RoHS para mayor compatibilidad con el medio ambiente

Optimizado para aplicaciones de nivel lógico

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