MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF5801TRPBF, VDSS 200 V, ID 600 mA, Mejora, TSOP de 6 pines

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Código RS:
301-631
Nº ref. fabric.:
IRF5801TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

600mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

TSOP

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.2Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

3.9nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

1.5 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3mm

Altura

0.9mm

Distrelec Product Id

304-36-986

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal N, 150 V a 600 V, Infineon


La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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