MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 8.2 A, Mejora, TSOP de 6 pines

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Código RS:
165-5807
Nº ref. fabric.:
IRFTS8342TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

8.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

TSOP

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

29mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4.8nC

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3mm

Anchura

1.75 mm

Altura

1.3mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon


La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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