MOSFET Infineon IRFTS8342TRPBF, VDSS 30 V, ID 8,2 A, TSOP-6 de 6 pines, , config. Simple

Código RS:: 165-5807
Nº ref. fabric.:: IRFTS8342TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRFTS8342TRPBF, VDSS 30 V, ID 8,2 A, TSOP-6 de 6 pines, , config. Simple

4850 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,132 €

(exc. IVA)

0,16 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 - 3000	0,132 €	396,00 €
6000 - 6000	0,126 €	378,00 €
9000 +	0,118 €	354,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 165-5807
Nº ref. fabric.:: IRFTS8342TRPBF
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	8,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	TSOP-6
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	29 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.35V
Tensión de umbral de puerta mínima	1.35V
Disipación de Potencia Máxima	2 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Ancho	1.75mm
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	3mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	4,8 nC a 4,5 V
Material del transistor	Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.3mm