MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL145N4LF8AG, VDSS 40 V, ID 167 A, PowerFLAT de 8 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 unidad)*

1,28 €

(exc. IVA)

1,55 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 6000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
1 - 91,28 €
10 - 991,15 €
100 - 4991,06 €
500 - 9991,00 €
1000 +0,89 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
330-243
Nº ref. fabric.:
STL145N4LF8AG
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

167A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

STL

Encapsulado

PowerFLAT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.6mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

28nC

Disipación de potencia máxima Pd

94W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de STMicroelectronics diseñado en tecnología Strip FET F8 con una estructura de puerta de zanja mejorada. Garantiza una figura de mérito de vanguardia para una resistencia de estado activado muy baja, al tiempo que reduce las capacitancias internas y la carga de puerta para una conmutación más rápida y eficiente.

Cualificado AEC-Q101

Grado MSL1

175°C temperatura máxima de funcionamiento de la unión

100 % a prueba de avalancha

Carga de puerta baja Qg

Paquete de flancos de mesa húmeda

Enlaces relacionados