MOSFET de canal N, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL160N4F8, VDSS 40 V, ID 154 A, PowerFLAT de 8 pines
- Código RS:
- 330-475
- Nº ref. fabric.:
- STL160N4F8
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
1,24 €
(exc. IVA)
1,50 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 3000 unidad(es) más para enviar a partir del 23 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,24 € |
| 10 - 99 | 1,12 € |
| 100 - 499 | 1,02 € |
| 500 - 999 | 0,96 € |
| 1000 + | 0,85 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 330-475
- Nº ref. fabric.:
- STL160N4F8
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET de canal N | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 154A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Serie | STL | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.6mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 111W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 28nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET de canal N | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 154A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Serie STL | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.6mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 111W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 28nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: No aplica
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de STMicroelectronics, diseñado en tecnología STripFET F8, presenta una estructura de puerta de zanja mejorada. Ofrece una figura de mérito de última generación con una resistencia de estado activado muy baja, capacitancias internas y carga de puerta reducidas, lo que permite una conmutación más rápida y eficiente.
100 % a prueba de avalancha
Carga de puerta baja Qg
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia STripFET F8 VDSS 40 V PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V PowerFLAT config. Canal N
- MOSFET VDSS 60 V PowerFLAT config. Canal N
- MOSFET VDSS 40 V PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V PowerFLAT config. Canal N
- MOSFET VDSS 40 V PowerFLAT config. Canal N
- MOSFET VDSS 40 V PowerFLAT de 8 pines
