MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics ST8L65N050DM9, VDSS 650 V, ID 35 A, N, PowerFlat HV de 5 pines
- Código RS:
- 762-551
- Nº ref. fabric.:
- ST8L65N050DM9
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- 762-551
- Nº ref. fabric.:
- ST8L65N050DM9
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 35A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PowerFlat HV | |
| Serie | ST8L65N0 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 50mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 167W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 107nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.95mm | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Anchura | 8.1mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 35A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PowerFlat HV | ||
Serie ST8L65N0 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 50mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 167W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 107nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.95mm | ||
Longitud 8.1mm | ||
Anchura 8.1mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de superunión de canal N de STMicroelectronics es un dispositivo de potencia de alta eficiencia basado en la tecnología de superunión MDmesh M9 avanzada. Está diseñado para aplicaciones de media a alta tensión donde las bajas pérdidas de conducción y la conmutación rápida son críticas.
FOM muy bajo
Capacidad dv/dt superior
Excelente rendimiento de conmutación
100 % a prueba de avalancha
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