MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics ST8L65N050DM9, VDSS 650 V, ID 35 A, N, PowerFlat HV de 5 pines

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Código RS:
762-551
Nº ref. fabric.:
ST8L65N050DM9
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

35A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

PowerFlat HV

Serie

ST8L65N0

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

50mΩ

Modo de canal

N

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

107nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.6V

Disipación de potencia máxima Pd

167W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

8.1mm

Anchura

8.1 mm

Altura

0.95mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de superunión de canal N de STMicroelectronics es un dispositivo de potencia de alta eficiencia basado en la tecnología de superunión MDmesh M9 avanzada. Está diseñado para aplicaciones de media a alta tensión donde las bajas pérdidas de conducción y la conmutación rápida son críticas.

FOM muy bajo

Capacidad dv/dt superior

Excelente rendimiento de conmutación

100 % a prueba de avalancha

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