MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL3NM60N, VDSS 600 V, ID 2.2 A, Mejora, PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
151-423
Nº ref. fabric.:
STL3NM60N
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

MDmesh II

Encapsulado

PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.5Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Disipación de potencia máxima Pd

22W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9.5nC

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología MDmesh de segunda generación. Este revolucionario MOSFET de potencia asocia una estructura vertical con el diseño de tira de la empresa para producir una de las resistencias más bajas del mundo. Por lo tanto, es adecuado para los convertidores de alta eficiencia más exigentes.

100 % a prueba de avalancha

Capacitancia de entrada baja y carga de puerta

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