MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL19N60M6, VDSS 600 V, ID 11 A, PowerFlat HV de 5 pines

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Código RS:
203-3439
Nº ref. fabric.:
STL19N60M6
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

11A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

M6

Encapsulado

PowerFlat HV

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

308mΩ

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

16.8nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Disipación de potencia máxima Pd

90W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

8.1mm

Altura

8.1mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

0.95 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia M6 MDmesh de canal N de STMicroelectronics incorpora los avances más recientes en la conocida y consolidada familia MDmesh de MOSFET SJ. STMicroelectronics ha creado la generación anterior de dispositivos MDmesh mediante su nueva tecnología M6. Esto combina una excelente mejora de RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles, así como una experiencia fácil de usar para lograr la máxima eficiencia de las aplicaciones finales.

Pérdidas de conmutación reducidas

Resistencia de entrada de puerta baja

100 % a prueba de avalancha

Protección Zener

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